NT5CC256M16ER-EKI vs H5TC4G63AFR-PBI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16ER-EKI द्वारा Nanya Technology और H5TC4G63AFR-PBI द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16ER-EKI | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | Obsolete |
| यूनिट मूल्य (USD) | $16.70 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| डेटा दर | 933 MHz (DDR3L-1866) | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| पैकेज | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |