NT5CC256M16ER-EKI vs H5TC4G63AFR-PBI Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5CC256M16ER-EKI sa pamamagitan ng Nanya Technology at H5TC4G63AFR-PBI sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5CC256M16ER-EKI | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Obsolete |
| Presyo ng Yunit (USD) | $16.70 | — |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| Rate ng Data | 933 MHz (DDR3L-1866) | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Packhaging | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latensya ng CAS | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Tindminan RoHS | — | Compliant |