MWE6IC9100NR1 - 100W 26V GSM/EDGE RF LDMOS Amplifier | NXP
Teilenummer: MWE6IC9100NR1 ✓ Aktiv| Menge | Stückpreis | Gesamt |
|---|---|---|
| 1 | $181.5 | $181,50 |
| 10 | $172.43 | $1.724,30 |
| 100 | $154.28 | $15.428,00 |
| 500 | $136.13 | $68.065,00 |
| 1.000 | $118.5 | $118.500,00 |
MWE6IC9100NR1 Übersicht
An RF power amplifier (PA) is the final active stage in a wireless transmitter that boosts a low-amplitude radio signal up to watt-level power so it can reach a base-station antenna or the radiated-power budget mandated by a given air interface. LD-MOS is the dominant process technology for sub-3 GHz high-power PAs because of its high breakdown voltage, high gain, and excellent RF ruggedness. NXP's "MWxxIC" family sits at the top of the power-management hierarchy: PA module -> RF front-end -> transceiver -> baseband -> wireless system.
Key features include 100 W typical output power, 33.5 dB linear gain across the 869-960 MHz band, integrated ESD protection, on-chip matching that eliminates external baluns or harmonic filters, and a thermally enhanced gull-wing lead package designed for efficiency-cooling PCB layouts. The broadband response makes a single part number usable across multiple GSM/EDGE channel allocations, simplifying BOM and inventory for multi-band base-station designs.
Typical applications include GSM and GSM/EDGE macro base stations, cellular repeaters, industrial-radio links, and any large-signal common-source amplifier stage in the 800-1000 MHz region. When designing with this part, ensure the PCB thermal plane keeps the case- temperature below 100 C; given the 100 W dissipation and high supply voltage, a substantial copper area or forced-air cooling is mandatory for continuous CW operation.
Drop-in-Alternativen für MWE6IC9100NR1 – gleiches Gehäuse, Pin-kompatibel. Bauteile mit anderem Gehäuse, die eine PCB-Überarbeitung erfordern, sind ausgeschlossen.
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Alternativen anfordernMWE6IC9100NR1 Grenzwerte & elektrische Eigenschaften
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Type | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier |
| Frequency Range | 869 MHz to 960 MHz |
| RF Type / Application | GSM, EDGE |
| Typical Output Power | 100 W (Pout, CW) |
| Betriebsversorgungsspannung | 26 V (Vdd), 28 V supply rating |
| Maximum Supply Voltage | 32 V (rated) |
| Power Gain | 33.5 dB at 960 MHz |
| Gehäuse / Bauform | TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads) |
| Montageart | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) |
| Lead Configuration | Flat leads, gull-wing |
MWE6IC9100NR1 to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads) Pinbelegungsleitfaden
Pinbelegung für MWE6IC9100NR1 (to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)-Gehäuse). Dieses analoge Bauteil verfügt über Eingangs-, Ausgangs- und Versorgungspins. Offset-Null-, Kompensations- und Enable-Pin-Konfigurationen entnehmen Sie dem Herstellerdatenblatt. Ideal für Signalaufbereitung und Verstärkerschaltungen.
Keine detaillierten Pinbelegungsdaten verfügbar für MWE6IC9100NR1.
Siehe die Datenblatt für die vollständige Pin-Konfiguration.
Typische Anwendungen
MWE6IC9100NR1 ist geeignet für 3 Anwendungs: Signalaufbereitung, Datenerfassung, Audioverarbeitung.
Signalaufbereitung
Verstärkung und Filterung von Sensorsignalen mit MWE6IC9100NR1.
Datenerfassung
Umwandlung analoger Signale für die digitale Verarbeitung mit MWE6IC9100NR1.
Audioverarbeitung
Verstärkung und Verarbeitung von Audiosignalen mit MWE6IC9100NR1.
Für dieses Produkt sind keine FAQs verfügbar.
Technische Referenzdaten für MWE6IC9100NR1 – Vergleich, Designhinweise und Compliance-Informationen.
Compliance-Informationen
Compliance data not present in the verified web data; confirm with NXP product page before design-in.
