MWE6IC9100NR1 - 100W 26V GSM/EDGE RF LDMOS Amplifier | NXP
Артикул: MWE6IC9100NR1 ✓ Активен| Кол-во | Цена за ед. | Итого |
|---|---|---|
| 1 | $181.5 | $181,50 |
| 10 | $172.43 | $1.724,30 |
| 100 | $154.28 | $15.428,00 |
| 500 | $136.13 | $68.065,00 |
| 1.000 | $118.5 | $118.500,00 |
MWE6IC9100NR1 Обзор
An RF power amplifier (PA) is the final active stage in a wireless transmitter that boosts a low-amplitude radio signal up to watt-level power so it can reach a base-station antenna or the radiated-power budget mandated by a given air interface. LD-MOS is the dominant process technology for sub-3 GHz high-power PAs because of its high breakdown voltage, high gain, and excellent RF ruggedness. NXP's "MWxxIC" family sits at the top of the power-management hierarchy: PA module -> RF front-end -> transceiver -> baseband -> wireless system.
Key features include 100 W typical output power, 33.5 dB linear gain across the 869-960 MHz band, integrated ESD protection, on-chip matching that eliminates external baluns or harmonic filters, and a thermally enhanced gull-wing lead package designed for efficiency-cooling PCB layouts. The broadband response makes a single part number usable across multiple GSM/EDGE channel allocations, simplifying BOM and inventory for multi-band base-station designs.
Typical applications include GSM and GSM/EDGE macro base stations, cellular repeaters, industrial-radio links, and any large-signal common-source amplifier stage in the 800-1000 MHz region. When designing with this part, ensure the PCB thermal plane keeps the case- temperature below 100 C; given the 100 W dissipation and high supply voltage, a substantial copper area or forced-air cooling is mandatory for continuous CW operation.
Аналоги без доработки для MWE6IC9100NR1 — тот же корпус, pin-to-pin совместимость. Компоненты в других корпусах, требующие переработки PCB, исключены.
Инструмент быстрого сравнения — выберите альтернативные компоненты для сравнения бок о бок:
Для этого товара нет аналогов без доработки.
Запросить аналогиMWE6IC9100NR1 Максимальные параметры и электрические характеристики
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Type | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier |
| Frequency Range | 869 MHz to 960 MHz |
| RF Type / Application | GSM, EDGE |
| Typical Output Power | 100 W (Pout, CW) |
| Рабочее напряжение питания | 26 V (Vdd), 28 V supply rating |
| Maximum Supply Voltage | 32 V (rated) |
| Power Gain | 33.5 dB at 960 MHz |
| Корпус / Типоразмер | TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) |
| Lead Configuration | Flat leads, gull-wing |
Руководство по цоколевке MWE6IC9100NR1 в корпусе to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)
Цоколевка для MWE6IC9100NR1 (корпус to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)). Этот аналоговый компонент имеет выводы входа, выхода и питания. Обратитесь к техническому описанию производителя для конфигураций выводов балансировки нуля, коррекции и разрешения. Идеально подходит для схем обработки сигналов и усилителей.
Нет подробных данных о распиновке для MWE6IC9100NR1.
Обратитесь к даташиту для полной конфигурации выводов.
Типичное применение
MWE6IC9100NR1 подходит для 3 применениеs: Обработка сигналов, Сбор данных, Обработка звука.
Обработка сигналов
Усиление и фильтрация сигналов датчиков с использованием MWE6IC9100NR1.
Сбор данных
Преобразование аналоговых сигналов для цифровой обработки с помощью MWE6IC9100NR1.
Обработка звука
Усиление и обработка аудиосигналов с помощью MWE6IC9100NR1.
Для этого товара нет FAQ.
Справочные инженерные данные для MWE6IC9100NR1 — сравнение, рекомендации по проектированию и информация о соответствии.
Информация о соответствии
Compliance data not present in the verified web data; confirm with NXP product page before design-in.
