MWE6IC9100NR1 - 100W 26V GSM/EDGE RF LDMOS Amplifier | NXP
N.º da peça: MWE6IC9100NR1 ✓ Ativo| Qtd. | Preço unitário | Total |
|---|---|---|
| 1 | $181.5 | $181,50 |
| 10 | $172.43 | $1.724,30 |
| 100 | $154.28 | $15.428,00 |
| 500 | $136.13 | $68.065,00 |
| 1.000 | $118.5 | $118.500,00 |
MWE6IC9100NR1 Visão geral
An RF power amplifier (PA) is the final active stage in a wireless transmitter that boosts a low-amplitude radio signal up to watt-level power so it can reach a base-station antenna or the radiated-power budget mandated by a given air interface. LD-MOS is the dominant process technology for sub-3 GHz high-power PAs because of its high breakdown voltage, high gain, and excellent RF ruggedness. NXP's "MWxxIC" family sits at the top of the power-management hierarchy: PA module -> RF front-end -> transceiver -> baseband -> wireless system.
Key features include 100 W typical output power, 33.5 dB linear gain across the 869-960 MHz band, integrated ESD protection, on-chip matching that eliminates external baluns or harmonic filters, and a thermally enhanced gull-wing lead package designed for efficiency-cooling PCB layouts. The broadband response makes a single part number usable across multiple GSM/EDGE channel allocations, simplifying BOM and inventory for multi-band base-station designs.
Typical applications include GSM and GSM/EDGE macro base stations, cellular repeaters, industrial-radio links, and any large-signal common-source amplifier stage in the 800-1000 MHz region. When designing with this part, ensure the PCB thermal plane keeps the case- temperature below 100 C; given the 100 W dissipation and high supply voltage, a substantial copper area or forced-air cooling is mandatory for continuous CW operation.
Alternativas drop-in para MWE6IC9100NR1 — mesmo encapsulamento, compatível pino a pino. Peças de encapsulamento diferente que exigem retrabalho na PCB são excluídas.
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Solicitar alternativasMWE6IC9100NR1 Classificações máximas e características elétricas
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Type | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier |
| Frequency Range | 869 MHz to 960 MHz |
| RF Type / Application | GSM, EDGE |
| Typical Output Power | 100 W (Pout, CW) |
| Tensão de alimentação de operação | 26 V (Vdd), 28 V supply rating |
| Maximum Supply Voltage | 32 V (rated) |
| Power Gain | 33.5 dB at 960 MHz |
| Encapsulamento / Caixa | TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) |
| Lead Configuration | Flat leads, gull-wing |
Guia de Configuração de Pinos do MWE6IC9100NR1 to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)
Configuração de pinos para MWE6IC9100NR1 (pacote to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)). Este componente analógico possui pinos de entrada, saída e alimentação. Consulte o datasheet do fabricante para configurações de offset null, compensação e pino de enable. Ideal para circuitos de condicionamento de sinal e amplificadores.
Nenhum dado detalhado de pinagem disponível para MWE6IC9100NR1.
Consulte a ficha técnica para a configuração completa dos pinos.
Aplicações típicas
MWE6IC9100NR1 é adequado para 3 aplicaçãos: Condicionamento de sinal, Aquisição de dados, Processamento de áudio.
Condicionamento de sinal
Amplificação e filtragem de sinais de sensores usando MWE6IC9100NR1.
Aquisição de dados
Conversão de sinais analógicos para processamento digital com MWE6IC9100NR1.
Processamento de áudio
Amplificação e processamento de sinais de áudio com MWE6IC9100NR1.
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Dados de referência de engenharia para MWE6IC9100NR1 — comparação, orientação de projeto e informações de conformidade.
Informações de conformidade
Compliance data not present in the verified web data; confirm with NXP product page before design-in.
