MWE6IC9100NR1 - 100W 26V GSM/EDGE RF LDMOS Amplifier | NXP
Référence : MWE6IC9100NR1 ✓ Actif| Qté | Prix unitaire | Total |
|---|---|---|
| 1 | $181.5 | $181,50 |
| 10 | $172.43 | $1 724,30 |
| 100 | $154.28 | $15 428,00 |
| 500 | $136.13 | $68 065,00 |
| 1 000 | $118.5 | $118 500,00 |
MWE6IC9100NR1 Présentation
An RF power amplifier (PA) is the final active stage in a wireless transmitter that boosts a low-amplitude radio signal up to watt-level power so it can reach a base-station antenna or the radiated-power budget mandated by a given air interface. LD-MOS is the dominant process technology for sub-3 GHz high-power PAs because of its high breakdown voltage, high gain, and excellent RF ruggedness. NXP's "MWxxIC" family sits at the top of the power-management hierarchy: PA module -> RF front-end -> transceiver -> baseband -> wireless system.
Key features include 100 W typical output power, 33.5 dB linear gain across the 869-960 MHz band, integrated ESD protection, on-chip matching that eliminates external baluns or harmonic filters, and a thermally enhanced gull-wing lead package designed for efficiency-cooling PCB layouts. The broadband response makes a single part number usable across multiple GSM/EDGE channel allocations, simplifying BOM and inventory for multi-band base-station designs.
Typical applications include GSM and GSM/EDGE macro base stations, cellular repeaters, industrial-radio links, and any large-signal common-source amplifier stage in the 800-1000 MHz region. When designing with this part, ensure the PCB thermal plane keeps the case- temperature below 100 C; given the 100 W dissipation and high supply voltage, a substantial copper area or forced-air cooling is mandatory for continuous CW operation.
Alternatives de remplacement direct pour MWE6IC9100NR1 — même boîtier, compatible broche à broche. Les références à boîtier différent nécessitant une retouche du PCB sont exclues.
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Demander des alternativesMWE6IC9100NR1 Valeurs maximales et caractéristiques électriques
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Type | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier |
| Frequency Range | 869 MHz to 960 MHz |
| RF Type / Application | GSM, EDGE |
| Typical Output Power | 100 W (Pout, CW) |
| Tension d'alimentation de fonctionnement | 26 V (Vdd), 28 V supply rating |
| Maximum Supply Voltage | 32 V (rated) |
| Power Gain | 33.5 dB at 960 MHz |
| Boîtier / Format | TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) |
| Lead Configuration | Flat leads, gull-wing |
Guide de configuration des broches du MWE6IC9100NR1 to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)
Configuration des broches du MWE6IC9100NR1 (boîtier to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)). Ce composant analogique comporte des broches d'entrée, de sortie et d'alimentation. Consultez la fiche technique du fabricant pour les configurations des broches d'annulation d'offset, de compensation et d'activation. Idéal pour le conditionnement de signaux et les circuits amplificateurs.
Aucune donnée de brochage détaillée disponible pour MWE6IC9100NR1.
Consultez la fiche technique pour la configuration complète des broches.
Applications typiques
MWE6IC9100NR1 convient pour 3 applications: Conditionnement du signal, Acquisition de données, Traitement audio.
Conditionnement du signal
Amplification et filtrage des signaux de capteurs à l'aide de MWE6IC9100NR1.
Acquisition de données
Conversion de signaux analogiques pour le traitement numérique avec MWE6IC9100NR1.
Traitement audio
Amplification et traitement des signaux audio avec MWE6IC9100NR1.
Aucune FAQ disponible pour ce produit.
Données de référence d'ingénierie pour MWE6IC9100NR1 — comparaison, recommandations de conception et informations de conformité.
Informations de conformité
Compliance data not present in the verified web data; confirm with NXP product page before design-in.
