MWE6IC9100NR1 - 100W 26V GSM/EDGE RF LDMOS Amplifier | NXP
N.º de pieza: MWE6IC9100NR1 ✓ Activo| Cant. | Precio unitario | Total |
|---|---|---|
| 1 | $181.5 | $181,50 |
| 10 | $172.43 | $1.724,30 |
| 100 | $154.28 | $15.428,00 |
| 500 | $136.13 | $68.065,00 |
| 1.000 | $118.5 | $118.500,00 |
MWE6IC9100NR1 Descripción general
An RF power amplifier (PA) is the final active stage in a wireless transmitter that boosts a low-amplitude radio signal up to watt-level power so it can reach a base-station antenna or the radiated-power budget mandated by a given air interface. LD-MOS is the dominant process technology for sub-3 GHz high-power PAs because of its high breakdown voltage, high gain, and excellent RF ruggedness. NXP's "MWxxIC" family sits at the top of the power-management hierarchy: PA module -> RF front-end -> transceiver -> baseband -> wireless system.
Key features include 100 W typical output power, 33.5 dB linear gain across the 869-960 MHz band, integrated ESD protection, on-chip matching that eliminates external baluns or harmonic filters, and a thermally enhanced gull-wing lead package designed for efficiency-cooling PCB layouts. The broadband response makes a single part number usable across multiple GSM/EDGE channel allocations, simplifying BOM and inventory for multi-band base-station designs.
Typical applications include GSM and GSM/EDGE macro base stations, cellular repeaters, industrial-radio links, and any large-signal common-source amplifier stage in the 800-1000 MHz region. When designing with this part, ensure the PCB thermal plane keeps the case- temperature below 100 C; given the 100 W dissipation and high supply voltage, a substantial copper area or forced-air cooling is mandatory for continuous CW operation.
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Solicitar alternativasMWE6IC9100NR1 Valores máximos y características eléctricas
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Type | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier |
| Frequency Range | 869 MHz to 960 MHz |
| RF Type / Application | GSM, EDGE |
| Typical Output Power | 100 W (Pout, CW) |
| Tensión de alimentación de funcionamiento | 26 V (Vdd), 28 V supply rating |
| Maximum Supply Voltage | 32 V (rated) |
| Power Gain | 33.5 dB at 960 MHz |
| Encapsulado / Carcasa | TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) |
| Lead Configuration | Flat leads, gull-wing |
Guía de configuración de pines de MWE6IC9100NR1 to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)
Configuración de pines para MWE6IC9100NR1 (encapsulado to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)). Este componente analógico presenta pines de entrada, salida y alimentación. Consulte la hoja de datos del fabricante para conocer las configuraciones de los pines de ajuste de offset, compensación y habilitación. Ideal para circuitos de acondicionamiento de señal y amplificadores.
No hay datos detallados de patillaje disponibles para MWE6IC9100NR1.
Consulte la hoja de datos para ver la configuración completa de patillas.
Aplicaciones típicas
MWE6IC9100NR1 es adecuado para 3 aplicacións: Acondicionamiento de señales, Adquisición de datos, Procesamiento de audio.
Acondicionamiento de señales
Amplificación y filtrado de señales de sensores usando MWE6IC9100NR1.
Adquisición de datos
Conversión de señales analógicas para procesamiento digital con MWE6IC9100NR1.
Procesamiento de audio
Amplificación y procesamiento de señales de audio con MWE6IC9100NR1.
No hay preguntas frecuentes disponibles para este producto.
Datos de referencia de ingeniería para MWE6IC9100NR1 — comparación, orientación de diseño e información de cumplimiento.
Información de cumplimiento
Compliance data not present in the verified web data; confirm with NXP product page before design-in.
