YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de YZ48G16V-F9HPI-M por Loongtion y K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Loongtion | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,60 | $14,22 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Encapsulado | FBGA96 | 96-ball FBGA |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +85°C | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Interfaz | DDR4 | Parallel |
| Recuento de pines | 96 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| Temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Número de pines | — | 96 |