YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BIWE 对比
详细并排对比 YZ48G16V-F9HPI-M 出自 Loongtion 和 K4A8G165WB-BIWE 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
规格对比
| 参数 | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| 品牌 | Loongtion | Samsung Electronics |
| 分类 | DRAM | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $8.60 | $14.22 |
| 存储器类型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 存储组织 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 数据速率 | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| 封装 | FBGA96 | 96-ball FBGA |
| 工作温度范围 | -40°C to +85°C | — |
| 电源电压 | 1.2 V | 1.2 V |
| 接口 | DDR4 | Parallel |
| 引脚数量 | 96 | — |
| 安装类型 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 状态 | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| 数据总线宽度 | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| 工作温度 | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| CAS 延迟 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| 引脚数 | — | 96 |