YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de YZ48G16V-F9HPI-M par Loongtion et K4A8G165WB-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | Loongtion | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,60 | $14,22 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Boîtier | FBGA96 | 96-ball FBGA |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +85°C | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface | DDR4 | Parallel |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Largeur du bus de données | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| Température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Nombre de broches | — | 96 |