YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BIWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von YZ48G16V-F9HPI-M von Loongtion und K4A8G165WB-BIWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marke | Loongtion | Samsung Electronics |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,60 | $14,22 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Gehäuse | FBGA96 | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +85°C | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Schnittstelle | DDR4 | Parallel |
| Pin-Anzahl | 96 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Datenbusbreite | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| Betriebstemperatur | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Anzahl der Pins | — | 96 |