YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BIWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de YZ48G16V-F9HPI-M por Loongtion e K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Loongtion | Samsung Electronics |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,60 | $14,22 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Taxa de dados | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Encapsulamento | FBGA96 | 96-ball FBGA |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +85°C | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface | DDR4 | Parallel |
| Contagem de pinos | 96 | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Largura do barramento de dados | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| Temperatura de operação | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Número de pinos | — | 96 |