YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BIWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок YZ48G16V-F9HPI-M от Loongtion и K4A8G165WB-BIWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Бренд | Loongtion | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,60 | $14,22 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Корпус | FBGA96 | 96-ball FBGA |
| Диапазон рабочих температур | -40°C to +85°C | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Интерфейс | DDR4 | Parallel |
| Число выводов | 96 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Разрядность шины данных | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| Рабочая температура | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Количество выводов | — | 96 |