YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WB-BIWE 比較
詳細な並列比較: YZ48G16V-F9HPI-M メーカー: Loongtion および K4A8G165WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | Loongtion | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.60 | $14.22 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| データレート | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| パッケージ | FBGA96 | 96-ball FBGA |
| 動作温度範囲 | -40°C to +85°C | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| インターフェース | DDR4 | Parallel |
| ピン数 | 96 | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| データバス幅 | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | Auto-refresh, Self-refresh |
| 動作温度 | — | -40°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| ピン数 | — | 96 |