BSC190N12NS3GATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC190N12NS3GATMA1 توسط Infineon و BSZ0901NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC190N12NS3GATMA1 BSZ0901NSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC190N12NS3GATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 8.6 A 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
بسته‌بندی PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (UIS-tested) —
Body Diode Integrated —
وضعیت RoHS Compliant (JESD-609 Code e3) Compliant
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Configuration Single with built-in diode —
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
تعداد پایه — 8
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت