BSC190N12NS3GATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC190N12NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSZ0901NSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC190N12NS3GATMA1 BSZ0901NSIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC190N12NS3GATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 8.6 A 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (UIS-tested) —
Body Diode Integrated —
סטטוס RoHS Compliant (JESD-609 Code e3) Compliant
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Configuration Single with built-in diode —
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
מספר פינים — 8
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר