CGD65A055S2 vs CGD65C055SP2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار CGD65A055S2 توسط Cambridge GaN Devices و CGD65C055SP2 توسط Cambridge GaN Devices. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Cambridge GaN Devices
CGD65C055SP2 CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر CGD65A055S2 CGD65C055SP2
برند Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
دسته‌بندی Transistors MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices (CGD)
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) ICeGaN® GaN-on-Si, enhancement-mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ —
جریان پیوسته درین (TC=25°C) 27 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) —
Current Sense Pin Yes (integrated CS output) —
Integrated Protection Circuit NL³ (non-linear low-loss) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero, typical for GaN) —
بسته‌بندی 16-pin DFN 8x8 mm BHDFN-9-1 (Bottom-side cooled, wettable flank)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) —
وضعیت RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Polarity Single FET —
Part Number — CGD65C055SP2
نوع ترانزیستور — N-Channel GaN HEMT (Enhancement Mode, Normally-Off)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on)) — 55 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_TH) — 3 V
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V
Gate Turn-Off Voltage — 0 V (genuine 0 V turn-off per ICeGaN)
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) — [DATA_NEEDED: R_thJC in C/W]
Lead-Free — Yes
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت