CGD65A055S2 vs CGD65C055SP2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از CGD65A055S2 بذریعہ Cambridge GaN Devices اور CGD65C055SP2 بذریعہ Cambridge GaN Devices. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Cambridge GaN Devices
CGD65C055SP2 CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر CGD65A055S2 CGD65C055SP2
برانڈ Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
زمرہ Transistors MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices (CGD)
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) ICeGaN® GaN-on-Si, enhancement-mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 27 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) —
Current Sense Pin Yes (integrated CS output) —
Integrated Protection Circuit NL³ (non-linear low-loss) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero, typical for GaN) —
پیکیج 16-pin DFN 8x8 mm BHDFN-9-1 (Bottom-side cooled, wettable flank)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free) Compliant
Polarity Single FET —
Part Number — CGD65C055SP2
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel GaN HEMT (Enhancement Mode, Normally-Off)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on)) — 55 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_TH) — 3 V
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V
Gate Turn-Off Voltage — 0 V (genuine 0 V turn-off per ICeGaN)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) — [DATA_NEEDED: R_thJC in C/W]
Lead-Free — Yes
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں