CGD65A055S2 vs CGD65C055SP2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של CGD65A055S2 מאת Cambridge GaN Devices ו CGD65C055SP2 מאת Cambridge GaN Devices. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Cambridge GaN Devices
CGD65C055SP2 CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices

CGD65C055SP2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר CGD65A055S2 CGD65C055SP2
מותג Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
קטגוריה Transistors MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices (CGD)
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) ICeGaN® GaN-on-Si, enhancement-mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ —
זרם ניקוז רציף (TC=25°C) 27 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) —
Current Sense Pin Yes (integrated CS output) —
Integrated Protection Circuit NL³ (non-linear low-loss) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero, typical for GaN) —
מארז 16-pin DFN 8x8 mm BHDFN-9-1 (Bottom-side cooled, wettable flank)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) —
סטטוס RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Polarity Single FET —
Part Number — CGD65C055SP2
סוג טרנזיסטור — N-Channel GaN HEMT (Enhancement Mode, Normally-Off)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on)) — 55 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_TH) — 3 V
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V
Gate Turn-Off Voltage — 0 V (genuine 0 V turn-off per ICeGaN)
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) — [DATA_NEEDED: R_thJC in C/W]
Lead-Free — Yes
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר