H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-RDC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-UHI توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-RDC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| نرخ داده | 2400 MT/s | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| رابط | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | Auto-refresh and self-refresh |
| Termination | On-die termination (ODT) | On-Die Termination (ODT) |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| ولتاژ تغذیه | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Process Technology | — | CMOS |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |