H5AN8G6NAFR-UHC vs AS4C512M16D4B-62BCNTR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NAFR-UHC توسط SK hynix و AS4C512M16D4B-62BCNTR توسط Alliance Memory. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NAFR-UHC | AS4C512M16D4B-62BCNTR |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Alliance Memory |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| نرخ داده | 2400 MT/s | 3200 MT/s |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| بستهبندی | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0C to +85C | 0°C to 95°C |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| اندازه حافظه | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| تأخیر CAS | — | 19 ns |
| رابط | — | Parallel |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Revision | — | Rev.B |
| Lead-Free | — | Yes |