H5AN8G6NAFR-UHC vs AS4C512M16D4B-62BCNTR مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NAFR-UHC توسط SK hynix و AS4C512M16D4B-62BCNTR توسط Alliance Memory. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN8G6NAFR-UHC AS4C512M16D4B-62BCNTR
برند SK hynix Alliance Memory
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gbit —
سازمان 512M x 16 512M x 16
ولتاژ تغذیه 1.2 V 1.2 V (1.14V to 1.26V)
نرخ داده 2400 MT/s 3200 MT/s
Clock Architecture Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous —
بسته‌بندی 96-ball FBGA (TFBGA) 96-FBGA (7.5x13 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری 0C to +85C 0°C to 95°C
Refresh Auto self-refresh —
Precharge Auto precharge function —
Reset Asynchronous reset function —
Data Mask DM function supported —
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration function —
Error Checking CRC function —
Write Leveling Write leveling function supported —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
اندازه حافظه — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1600 MHz
تأخیر CAS — 19 ns
رابط — Parallel
JEDEC Standard — Compliant
Revision — Rev.B
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت