H5AN8G6NAFR-UHC vs AS4C512M16D4B-62BCNTR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NAFR-UHC מאת SK hynix ו AS4C512M16D4B-62BCNTR מאת Alliance Memory. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NAFR-UHC | AS4C512M16D4B-62BCNTR |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Alliance Memory |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| קצב נתונים | 2400 MT/s | 3200 MT/s |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| מארז | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | 0°C to 95°C |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| גודל זיכרון | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| השהיית CAS | — | 19 ns |
| ממשק | — | Parallel |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Revision | — | Rev.B |
| Lead-Free | — | Yes |