H5AN8G6NAFR-UHC vs AS4C512M16D4B-62BCNTR 比較
詳細並排比較 H5AN8G6NAFR-UHC 由 SK hynix 與 AS4C512M16D4B-62BCNTR 由 Alliance Memory. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
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AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | H5AN8G6NAFR-UHC | AS4C512M16D4B-62BCNTR |
|---|---|---|
| 品牌 | SK hynix | Alliance Memory |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| 組織 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 供應電壓 | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| 資料速率 | 2400 MT/s | 3200 MT/s |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| 封裝 | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| 工作溫度 | 0C to +85C | 0°C to 95°C |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| RoHS 狀態 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| 記憶體容量 | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| CAS 延遲 | — | 19 ns |
| 介面 | — | Parallel |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Revision | — | Rev.B |
| Lead-Free | — | Yes |