IR2181STRPBF vs IR2101STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2181STRPBF توسط Infineon و IR2101STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2181STRPBF IR2101STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration High and Low Side, Independent Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Input Type Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Output Current (Source) 1.9 A peak —
Output Current (Sink) 2.3 A peak —
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) Up to 600 V offset —
Propagation Delay (typ) 180 ns —
Rise Time (typ) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: fall time] —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes —
Undervoltage Lockout Independent for high-side and low-side —
بسته‌بندی 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
محدوده دمای کاری -40 C to +125 C —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] MSL 3
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes —
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
دمای کاری — -40 C to +125 C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت