IRFR3411TRPBF vs IRFZ34NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR3411TRPBF توسط Infineon و IRFZ34NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR3411TRPBF IRFZ34NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide) N-Channel, Enhancement Mode
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 100 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 44 mOhm —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 32 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 130 W —
Gate Charge (Qg) 48 nC —
Operating Mode Enhancement —
Maximum Junction Temperature 175 C 175 C
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C -55 C to +175 C
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) TO-220AB (3-pin + tab, through-hole)
نوع نصب Surface Mount Through Hole
تعداد پین‌ها 3 —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR) HEXFET (Planar DMOS, 5th generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-free, PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 29 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 40 mOhm
Gate Charge (Q_g) typ — 22.7 nC
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Input Capacitance (C_iss) typ — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Lead-Free Status — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Qualification — JEDEC standard
وضعیت RoHS — Compliant
Configuration — Single N-Channel, 3-pin (3+tab)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت