IRFR3411TRPBF vs IRFZ34NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR3411TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFZ34NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR3411TRPBF IRFZ34NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide) N-Channel, Enhancement Mode
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 100 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 44 mOhm —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 32 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 130 W —
Gate Charge (Qg) 48 nC —
Operating Mode Enhancement —
Maximum Junction Temperature 175 C 175 C
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55 C to +175 C
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-220AB (3-pin + tab, through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
پنز کی تعداد 3 —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR) HEXFET (Planar DMOS, 5th generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-free, PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 29 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 40 mOhm
Gate Charge (Q_g) typ — 22.7 nC
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Input Capacitance (C_iss) typ — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Lead-Free Status — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Qualification — JEDEC standard
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Configuration — Single N-Channel, 3-pin (3+tab)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں