IRFR5305TRLPBF vs IRFR5410TRRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR5305TRLPBF توسط Infineon و IRFR5410TRRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR5305TRLPBF IRFR5410TRRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A -13 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ 205 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C -55C to +150C
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (5th Generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") Yes (PBF suffix indicates lead-free)
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
Polarity — P-Channel
FET Type — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
VDS (Drain-Source Voltage) — -100 V
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Gate Threshold) — -2 V to -4 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at 100C]
RDS(on) typical at VGS=-10V — 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF)
Total Gate Charge (Qg) — 70 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 66 W

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت