IRFZ34NPBF vs IRFZ24NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFZ34NPBF توسط Infineon و IRFZ24NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFZ34NPBF IRFZ24NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Technology HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) HEXFET planar cell
Drain-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 29 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 40 mOhm —
Gate Charge (Q_g) typ 22.7 nC —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Input Capacitance (C_iss) typ [DATA_NEEDED: input capacitance] —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C —
Maximum Junction Temperature 175 C —
بسته‌بندی TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) TO-220AB (through hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Lead-Free Status Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel, 3-pin (3+tab) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Channel Mode — Enhancement

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت