IRFZ34NPBF vs IRFZ24NPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFZ34NPBF מאת Infineon ו IRFZ24NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFZ34NPBF IRFZ24NPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Technology HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) HEXFET planar cell
Drain-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 29 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 40 mOhm —
Gate Charge (Q_g) typ 22.7 nC —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Input Capacitance (C_iss) typ [DATA_NEEDED: input capacitance] —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C —
Maximum Junction Temperature 175 C —
מארז TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) TO-220AB (through hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Lead-Free Status Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel, 3-pin (3+tab) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Channel Mode — Enhancement

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר