IRFZ34NPBF vs IRFZ24NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ34NPBF بذریعہ Infineon اور IRFZ24NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ34NPBF IRFZ24NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Technology HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) HEXFET planar cell
Drain-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 29 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 40 mOhm —
Gate Charge (Q_g) typ 22.7 nC —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Input Capacitance (C_iss) typ [DATA_NEEDED: input capacitance] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C —
Maximum Junction Temperature 175 C —
پیکیج TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) TO-220AB (through hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Lead-Free Status Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel, 3-pin (3+tab) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Channel Mode — Enhancement

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں