IRFZ44NSTRLPBF vs IRLS3034TRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFZ44NSTRLPBF توسط Infineon و IRLS3034TRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFZ44NSTRLPBF IRLS3034TRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 343 A
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 2.5 V (typical)
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 108 nC
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
محدوده دمای کاری -55C to +175C -40°C to +175°C (TJ)
بسته‌بندی D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263), Surface Mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET IR HEXFET (planar N-channel)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 195 A
RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A — 1.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 375 W
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Shipping Format — Tape and Reel, 7-inch (TRL)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت