IRFZ44NSTRLPBF vs IRLS3034TRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFZ44NSTRLPBF מאת Infineon ו IRLS3034TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFZ44NSTRLPBF | IRLS3034TRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 49 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 343 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | 2.5 V (typical) |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 17.5 mOhm at VGS=10V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC | 108 nC |
| Power Dissipation (TC) | 94 W | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.8 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -40°C to +175°C (TJ) |
| מארז | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263), Surface Mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET | IR HEXFET (planar N-channel) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 195 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A | — | 1.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 375 W |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| רמת MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Shipping Format | — | Tape and Reel, 7-inch (TRL) |