MMBF170LT1 vs 2N7002L موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MMBF170LT1 بذریعہ onsemi اور 2N7002L بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MMBF170LT1 2N7002L
برانڈ onsemi onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi
Part Number MMBF170LT1 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) —
پیکیج / کیس SOT-23-3 (TO-236) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per onsemi product page) [DATA_NEEDED: RoHS status]
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS High cell density trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.5 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
پیکیج — SOT-23 (SOT-23-3)
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں