MMBF170LT1 vs 2N7002L Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MMBF170LT1 tarafından onsemi ve 2N7002L tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre MMBF170LT1 2N7002L
Marka onsemi onsemi
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi
Part Number MMBF170LT1 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) —
Paket / Kas SOT-23-3 (TO-236) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
RoHS Durumu Compliant (per onsemi product page) [DATA_NEEDED: RoHS status]
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS High cell density trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.5 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
Paket — SOT-23 (SOT-23-3)
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin