MMBF170LT1 vs 2N7002L השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MMBF170LT1 מאת onsemi ו 2N7002L מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | MMBF170LT1 | 2N7002L |
|---|---|---|
| מותג | onsemi | onsemi |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | onsemi |
| Part Number | MMBF170LT1 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 60 V | — |
| Drain-Gate Voltage (VDGS) | 60 Vdc | — |
| Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) | ±20 Vdc (per datasheet) | — |
| Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) | ±40 Vpk (tp <= 50 ms) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 500 mA (Ta) | 115 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] | — |
| Total Device Dissipation (PD) | 225 mW (Ta, FR-5 board) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) | — |
| מארז / Case | SOT-23-3 (TO-236) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (per onsemi product page) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| AEC-Q101 Qualified | Yes (per datasheet) | — |
| Technology | DMOS | High cell density trench MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 7.5 ohm max at VGS = 5V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1 V to 2.5 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 200 mW (Ta), 225 mW max |
| מארז | — | SOT-23 (SOT-23-3) |
| Configuration | — | Single FET |
| Switching Performance | — | Fast switching, rugged and reliable |
| Gate Drive | — | 5V logic-level enhancement mode |
| Typical Applications | — | Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting |