BSL606SNH6327XTSA1 vs BSS606NH6327XTSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSL606SNH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSS606NH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSL606SNH6327XTSA1 | BSS606NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS3 trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 4.5 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | 2 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | 5.6 nC (max) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (Tj) | — |
| מארז | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) | PG-SOT-89 (TO-243AA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Automotive (per family page) |
| סטטוס RoHS | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per SOT-89 family standard) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS Small Signal/Power |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W (Ta) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 60 mΩ max @ VGS=10 V |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55°C to +150°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Reel Quantity | — | 1000 pcs |