BTS621L1E3128ABUMA1 vs BTS5215LAUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BTS621L1E3128ABUMA1 מאת Infineon ו BTS5215LAUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BTS621L1E3128ABUMA1 BTS5215LAUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Dual-channel smart high-side power switch (PROFET) Smart High-Side Power Switch
Number of Channels 2 (dual high-side, 1:1) 2
FET Topology N-Channel vertical power MOSFET with charge pump —
On-State Resistance Rds(on) 8 mΩ typical per channel —
Nominal Operating Voltage 12 V (automotive bus) —
Maximum Supply Voltage 24 V (load-dump survivable) —
Continuous Load Current 4.4 A per channel —
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +150 °C junction —
מארז PG-TO263-7-2 (D2PAK-7, exposed tab) PG-DSO-12-9
סוג הרכבה Surface Mount —
Input Logic Compatibility CMOS-compatible, ground-referenced CMOS-compatible, ground-referenced
Diagnostic Feedback Yes - open-load and overtemperature reporting Status feedback per channel
Embedded Protection Overload, current limit, short-circuit, thermal shutdown, overvoltage (load dump), fast demagnetization, reverse battery —
Technology Smart SIPMOS (monolithic) —
RoHS / Lead-Free Compliant (Pb-free) —
On-State Resistance (RDS(on)) — 90 mΩ typical per channel
Continuous Output Current per Channel — 3.7 A
Operating Voltage Range — 8 V to 36 V
Standby Current — Very low (datasheet value [DATA_NEEDED: standby current uA])
MOSFET Technology — N-channel vertical power MOSFET with charge pump
Load Type Support — Resistive and inductive loads
Protection Features — Overcurrent, overtemperature, overvoltage, short-circuit, undervoltage
Demagnetization — Fast demagnetization of inductive loads
טמפרטורת פעולה — -40C to +150C (TJ) [DATA_NEEDED: ambient range exact]
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר