FDD8896 vs FDD8896-F085 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של FDD8896 מאת onsemi ו FDD8896-F085 מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר FDD8896 FDD8896-F085
מותג onsemi onsemi
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים סוף חיים Obsolete
סוג טרנזיסטור N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] 20 V
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench (Trench-Gate)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מארז TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252 (DPAK)
מספר פינים 3 3 (Gate, Drain, Source)
Configuration Single FET —
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) onsemi (Fairchild Semiconductor)
Packing Tape & Reel (T/R) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 94 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 17 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 5.7 mOhm
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 80 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ — 2.0 V
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS / Halogen-Free Status — Compliant / Halogen-Free
Lead-Free — Yes
רמת MSL — 1

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר