IR2153STRPBF vs IRS2153DSTRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2153STRPBF מאת Infineon ו IRS2153DSTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2153STRPBF IRS2153DSTRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-Bridge —
מספר יציאות 2 (High Side / Low Side) —
Offset Voltage (Max) 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 15.6 V (zener clamped) —
Bootstrap Supply Voltage (VB) VCC + 10 V to VCC + 15.6 V (clamped) —
Source/Sink Current (Peak) 200 mA / 400 mA —
Output Current 0.4 A —
Propagation Delay 1.2 us —
Rise / Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Oscillator Type Self-oscillating RC RC-based, similar to CMOS 555 timer
Deadtime Control Programmable via CT, tighter initial control —
UVLO Hysteresis 1 V —
Shutdown Feature 1/6 VCC threshold on CT pin —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז 8-SOIC (3.90 mm width) 8-pin SOIC
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
רמת MSL 1 —
טופולוגיה — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Programmable Shutdown Pin — Yes
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר