IRS21271STRPBF vs IR2117STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS21271STRPBF מאת Infineon ו IR2117STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRS21271STRPBF IRS21271STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IRS21271STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IRS21271STRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRS21271STRPBF IR2117STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה High-Side Gate Driver with Current Sense and Fault Output Gate Driver, Non-Inverting
Number of Channels 1 —
Input Type Non-Inverting —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Voltage Range 9 V to 20 V (automotive VBS range) —
VCC Supply Voltage 12 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.3 V —
Current Sense Comparator Integrated (CS pin with reference) —
Fault Output Yes (open-drain FAULT pin) —
Floating Channel Transient Immunity Negative VS transient tolerant, dV/dt immune —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40 C to +125 C
מארז 8-SOIC (3.90 mm body width) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL 3 MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Configuration — High-Side Single Channel
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
מספר יציאות — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
זמן עלייה — 80 ns (typ)
זמן ירידה — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
מארז / Case — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר