LM358DR vs NCV2904DR2G השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של LM358DR מאת Texas Instruments ו NCV2904DR2G מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר LM358DR NCV2904DR2G
מותג Texas Instruments onsemi
קטגוריה Amplifier ICs Amplifier ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits 2 2
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs —
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) —
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
טמפרטורת פעולה 0°C to +70°C —
מארז SOIC-8 (D) SOIC-8 (Case 751, D suffix)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
סטטוס RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (Single Supply) — 3.0 V to 26 V
Supply Voltage (Split Supply) — +/-1.5 V to +/-13 V
Common Mode Input Range — Extends to ground/VEE
Output — Short circuit protected
Input Stage — True differential input
Compensation — Internally compensated
ESD Protection — ESD clamps on inputs
Input Bias Current — Low input bias current
Power Drain — Low power drain
Qualification — NCV automotive grade
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר