MMBF170LT1 vs BSS138LT1G השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MMBF170LT1 מאת onsemi ו BSS138LT1G מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר MMBF170LT1 BSS138LT1G
מותג onsemi onsemi
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Part Number MMBF170LT1 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) 200 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) —
מארז / Case SOT-23-3 (TO-236) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 —
סטטוס RoHS Compliant (per onsemi product page) Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Power Dissipation (PD) — 225 mW (Ta)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Configuration — Single FET
Channel Mode — Enhancement Mode
מארז — SOT-23-3 (TO-236)
טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET
Typical Applications — Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר