1ED3127MU12FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1ED3127MU12FXUMA1 द्वारा Infineon और 1ED3124MC12HXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1ED3127MU12FXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| फ़ंक्शन | Single-channel isolated gate driver | — |
| आउटपुट की संख्या | 1 | 1 |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting | — |
| Peak Output Current | 10 A (source/sink) | — |
| Continuous Output Current | 9 A | — |
| Supply Voltage (VCC2 secondary) | 12 V to 35 V | — |
| Supply Voltage (VCC1 primary) | 3 V to 5.5 V | — |
| Propagation Delay (typ.) | 15 ns | — |
| Delay Matching (typ.) | 30 ns | — |
| Galvanic Isolation | 3000 Vrms (coreless transformer) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40C to +125C | — |
| Protection Features | Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection | — |
| पैकेज | PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Drives | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| राइज़ टाइम | — | 15 ns |
| फॉल टाइम | — | 30 ns |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |