1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDI60H12AHXUMA1 द्वारा Infineon और 1ED3124MC12HXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
1EDI60H12AHXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 10A Source | Infineon
1EDI60H12AHXUMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1EDI60H12AHXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Product Type | Single-channel high-side gate driver IC | — |
| Isolation Technology | Galvanic isolation via coreless transformer | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage Rating | 1200 V | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Peak Source Current (typ.) | 10.0 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 9.4 A | — |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | Separate source and sink (SEP) outputs | — |
| Input Compatibility | CMOS / TTL logic | — |
| Driven Device | IGBT (and MOSFET / SiC compatible) | — |
| पैकेज | PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Creepage Distance | 8 mm | — |
| Short-Circuit Protection | Short-circuit clamping | — |
| MSL स्तर | 2 (1 year floor life) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] | -40 C to +125 C |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| आउटपुट की संख्या | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| राइज़ टाइम | — | 15 ns |
| फॉल टाइम | — | 30 ns |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |