1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDI60H12AHXUMA1 بذریعہ Infineon اور 1ED3124MC12HXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
1EDI60H12AHXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 10A Source | Infineon
1EDI60H12AHXUMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | 1EDI60H12AHXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Product Type | Single-channel high-side gate driver IC | — |
| Isolation Technology | Galvanic isolation via coreless transformer | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage Rating | 1200 V | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Peak Source Current (typ.) | 10.0 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 9.4 A | — |
| آؤٹ پٹ کنفیگریشن | Separate source and sink (SEP) outputs | — |
| Input Compatibility | CMOS / TTL logic | — |
| Driven Device | IGBT (and MOSFET / SiC compatible) | — |
| پیکیج | PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Creepage Distance | 8 mm | — |
| Short-Circuit Protection | Short-circuit clamping | — |
| MSL لیول | 2 (1 year floor life) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] | -40 C to +125 C |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| آؤٹ پٹس کی تعداد | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| رائز ٹائم | — | 15 ns |
| فال ٹائم | — | 30 ns |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |