1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDI60H12AHXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
1EDI60H12AHXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 10A Source | Infineon
1EDI60H12AHXUMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 1EDI60H12AHXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Product Type | Single-channel high-side gate driver IC | — |
| Isolation Technology | Galvanic isolation via coreless transformer | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage Rating | 1200 V | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Peak Source Current (typ.) | 10.0 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 9.4 A | — |
| Çıkış Konfigürasyonu | Separate source and sink (SEP) outputs | — |
| Input Compatibility | CMOS / TTL logic | — |
| Driven Device | IGBT (and MOSFET / SiC compatible) | — |
| Paket | PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Creepage Distance | 8 mm | — |
| Short-Circuit Protection | Short-circuit clamping | — |
| MSL Seviyesi | 2 (1 year floor life) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] | -40 C to +125 C |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Çıkış Sayısı | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Artış Süresi | — | 15 ns |
| Düşüş Süresi | — | 30 ns |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |