1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDI60H12AHXUMA1 توسط Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDI60H12AHXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Single-channel high-side gate driver IC —
Isolation Technology Galvanic isolation via coreless transformer Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage Rating 1200 V —
Number of Channels 1 —
Peak Source Current (typ.) 10.0 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.4 A —
پیکربندی خروجی Separate source and sink (SEP) outputs —
Input Compatibility CMOS / TTL logic —
Driven Device IGBT (and MOSFET / SiC compatible) —
بسته‌بندی PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) PG-DSO-8 (DSO-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Creepage Distance 8 mm —
Short-Circuit Protection Short-circuit clamping —
سطح MSL 2 (1 year floor life) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
دمای کاری -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] -40 C to +125 C
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
تعداد خروجی‌ها — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمان صعود — 15 ns
زمان افت — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت