2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2304S06FXUMA1 द्वारा Infineon और 2ED21064S06JXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2ED21064S06JXUMA1 2ED21064S06JXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21064S06JXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21064S06JXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED2304S06FXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI —
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V / 5 V CMOS
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
पैकेज PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 2 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS स्थिति Compliant ROHS3 Compliant
फ़ंक्शन — High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
टोपोलॉजी — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
ऑपरेटिंग तापमान — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

डेटाशीट और संसाधन

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