2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED2304S06FXUMA1 מאת Infineon ו 2ED21064S06JXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED2304S06FXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI —
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V / 5 V CMOS
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 2 [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS Compliant ROHS3 Compliant
פונקציה — High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
טופולוגיה — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר