2ED2304S06FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2ED2304S06FXUMA1 بذریعہ Infineon اور 2ED21064S06JXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2ED2304S06FXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI —
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V / 5 V CMOS
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) —
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40C to +125C —
پیکیج PG-DSO-8-910 (DSO-8) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 2 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant ROHS3 Compliant
فنکشن — High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
ٹوپولوجی — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں